Bipolartransistor MJE15033G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15033G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15033G ist die bleifreie Version des MJE15033-Transistors

Pinbelegung des MJE15033G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15033G ist der MJE15032G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15033G

Sie können den Transistor MJE15033G durch einen MJE15033, MJE15035 oder MJE15035G ersetzen.
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