Bipolartransistor 2SA1011

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1011

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1011

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1011 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1011D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1011E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1011-Transistor könnte nur mit "A1011" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1011 ist der 2SC2344.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1011

Sie können den Transistor 2SA1011 durch einen 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SB1186A, 2SB630, 2SB940A, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.
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