Bipolartransistor 2SB940A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940A-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB940A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB940A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940A liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SB940A-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940A-P-Transistor könnte nur mit "B940A-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940A-P ist der 2SD1264A-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB940A-P

Sie können den Transistor 2SB940A-P durch einen 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.
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