Bipolartransistor 2SB1085A-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1085A-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB1085A-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1085A-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1085A liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1085A-D im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1085A-E-Transistor könnte nur mit "B1085A-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1085A-E ist der 2SD1562A-E.

SMD-Version des Transistors 2SB1085A-E

Der 2SA1201 (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1085A-E-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1085A-E

Sie können den Transistor 2SB1085A-E durch einen 2SA1006, 2SA1006-Q, 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1011, 2SA1011E, 2SA1077, 2SA1078, 2SA1306, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA1964, 2SA1964-E, 2SA968, 2SA968A, 2SA968B, 2SA985, 2SA985-Q, 2SA985A, 2SA985A-Q, 2SB1085, 2SB1085-E, 2SB1186, 2SB1186-E, 2SB1186A, 2SB1186A-E, 2SB546, 2SB546A, 2SB546A-K, 2SB547, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB861, 2SB861C, 2SB940, 2SB940-P, 2SB940A, 2SB940A-P, BD942, BD942F, BD956, BDT88, BDT88F, KSB546, KTA1659, KTA1659A, KTA968, KTA968A, KTB1369, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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