Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB940-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB940-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SB940-Q im Bereich von 60 bis 140.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940-P-Transistor könnte nur mit "B940-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940-P ist der 2SD1264-P.