Bipolartransistor 2SB940

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB940

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB940

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB940 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB940-P liegt im Bereich von 100 bis 240, die des 2SB940-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB940-Transistor könnte nur mit "B940" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB940 ist der 2SD1264.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB940

Sie können den Transistor 2SB940 durch einen 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SB546, 2SB547, 2SB940A, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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