Bipolartransistor 2SB1186

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1186 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1186-E liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1186-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1186-Transistor könnte nur mit "B1186" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1186 ist der 2SD1763.Sie können den Transistor 2SB1186 durch einen 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1078, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1930, 2SA985, 2SA985A, 2SB1085, 2SB547, BD956, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.