Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1175-RF
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des 2SA1175-RF
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1175-RF kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1175 liegt im Bereich von 110 bis 600, die des 2SA1175-EF im Bereich von 250 bis 400, die des 2SA1175-FF im Bereich von 200 bis 320, die des 2SA1175-HF im Bereich von 170 bis 270, die des 2SA1175-JF im Bereich von 135 bis 220, die des 2SA1175-KF im Bereich von 300 bis 600.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1175-RF-Transistor könnte nur mit "A1175-RF" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1175-RF ist der 2SC2785-RF.
SMD-Version des Transistors 2SA1175-RF
Der 2SA812 (SOT-23), 2SA812-M4 (SOT-23), KSA812 (SOT-23) und KSA812-O (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1175-RF-Transistors.
