Bipolartransistor 2SB1229-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SB1229-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1229-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1229 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1229-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1229-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1229-U im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1229-R-Transistor könnte nur mit "B1229-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1229-R ist der 2SD1835-R.Der 2SA1364 (SOT-89), 2SA1364-D (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-R (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-R (SOT-89), 2SB766A (SOT-89), BCP52 (SOT-223), BCP52-16 (SOT-223), BCX52 (SOT-89), BCX52-16 (SOT-89), BSP31 (SOT-223) und BSR31 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1229-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1229-R durch einen 2SA1020, 2SA1315, 2SB892, 2SB892-R, 2SB985, 2SB985R oder KTA1281 ersetzen.