Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1391-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1391-R
Der 2SA1391-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1391-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1391 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SA1391-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1391-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1391-U im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1391-R-Transistor könnte nur mit "A1391-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1391-R ist der 2SC3382-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1391-R
Der 2SA812 (SOT-23), 2SA812-M4 (SOT-23), FJX733 (SOT-323), KSA812 (SOT-23) und KSA812-O (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1391-R-Transistors.
