Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1037-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SA1037-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1037-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1037 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SA1037-R im Bereich von 180 bis 390, die des 2SA1037-S im Bereich von 270 bis 560.
Kennzeichnung
Der 2SA1037-Q-Transistor ist als "HQ" gekennzeichnet.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1037-Q ist der 2SC2412-Q.