Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2412-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SC2412-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2412-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2412 liegt im Bereich von 120 bis 560, die des 2SC2412-R im Bereich von 180 bis 390, die des 2SC2412-S im Bereich von 270 bis 560.
Kennzeichnung
Der 2SC2412-Q-Transistor ist als "BQ" gekennzeichnet.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2412-Q ist der 2SA1037-Q.