Bipolartransistor MJE5852G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5852G

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -450 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Der MJE5852G ist die bleifreie Version des MJE5852-Transistors

Pinbelegung des MJE5852G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5852G

Sie können den Transistor MJE5852G durch einen MJE5852 ersetzen.

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