Bipolartransistor MJE15035G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15035G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE15035G ist die bleifreie Version des MJE15035-Transistors

Pinbelegung des MJE15035G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15035G ist der MJE15034G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15035G

Sie können den Transistor MJE15035G durch einen MJE15035 ersetzen.
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