Bipolartransistor 2SA1009

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 200
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1009 kann eine Gleichstromverstärkung von 20 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1009-H liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1009-J im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1009-K im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1009-L im Bereich von 30 bis 60, die des 2SA1009-M im Bereich von 20 bis 40.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1009-Transistor könnte nur mit "A1009" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SA1009 durch einen 2SA1009A, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.