Bipolartransistor MJE5851G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der MJE5851G ist die bleifreie Version des MJE5851-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE5851G durch einen MJE15035, MJE15035G, MJE5851, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.