Bipolartransistor MJE5852

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5852

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -450 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE5852

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5852

Sie können den Transistor MJE5852 durch einen MJE5852G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE5852G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE5852.
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