Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1009A-H
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA1009A-H
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1009A-H kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1009A liegt im Bereich von 20 bis 200, die des 2SA1009A-J im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1009A-K im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1009A-L im Bereich von 30 bis 60, die des 2SA1009A-M im Bereich von 20 bis 40.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1009A-H-Transistor könnte nur mit "A1009A-H" gekennzeichnet sein.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1009A-H
Sie können den Transistor 2SA1009A-H durch einen MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.
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