Bipolartransistor MJE15035

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE15035

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE15035

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE15035 ist der MJE15034.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE15035

Sie können den Transistor MJE15035 durch einen MJE15035G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE15035G-Transistor ist die bleifreie Version des MJE15035.
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