Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1006B-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -250 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA1006B-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1006B-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1006B liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SA1006B-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1006B-R im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1006B-P-Transistor könnte nur mit "A1006B-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1006B-P ist der 2SC2336B-P.
