Bipolartransistor BC558C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 420 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC558C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC558C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC558 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC558A im Bereich von 110 bis 220, die des BC558B im Bereich von 200 bis 450.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC558C ist der BC548C.Der BC858 (SOT-23), BC858C (SOT-23), BC858CW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859C (SOT-23), BC859CW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC558C-Transistors.Sie können den Transistor BC558C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC415, BC415C, BC416, BC416C, BC557, BC557C, BC559, BC559C, BC560 oder BC560C ersetzen.