Bipolartransistor BC858C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC858C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC858A im Bereich von 110 bis 220, die des BC858B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858C ist der BC848C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858C

Sie können den Transistor BC858C durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC857C, BC859, BC859C, BC860, BC860C, FMMT591A, FMMTA55, KST55, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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