Bipolartransistor BC858CW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858CW

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC858CW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858CW kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC858BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC858W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858CW ist der BC848CW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858CW

Sie können den Transistor BC858CW durch einen BC857CW, BC857W, BC859CW, BC859W, BC860CW oder BC860W ersetzen.
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