Bipolartransistor BC557

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC557

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC557

Der BC557 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC557 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC557A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC557B im Bereich von 200 bis 450, die des BC557C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC557 ist der BC547.

SMD-Version des Transistors BC557

Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC557-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC557

Sie können den Transistor BC557 durch einen BC556 oder BC560 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com