Bipolartransistor BC558

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC558 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC558 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC558A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC558B im Bereich von 200 bis 450, die des BC558C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC558 ist der BC548.Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC558-Transistors.Sie können den Transistor BC558 durch einen BC557, BC559 oder BC560 ersetzen.