Bipolartransistor BC859W

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 1 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC859W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC859AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC859BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC859CW im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC859W ist der BC849W.Sie können den Transistor BC859W durch einen BC857W, BC858W oder BC860W ersetzen.