Bipolartransistor BC858W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858W

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC858W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC858BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC858CW im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858W ist der BC848W.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858W

Sie können den Transistor BC858W durch einen BC857W, BC859W oder BC860W ersetzen.
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