Bipolartransistor BC858

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC858

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BC858

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC858 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC858A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC858B im Bereich von 200 bis 450, die des BC858C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC858 ist der BC848.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC858

Sie können den Transistor BC858 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BC857, BC859, BC860, FMMTA55, KST55, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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