Bipolartransistor BC307

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Rauschzahl, max: 10 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC307 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC307 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC307A liegt im Bereich von 120 bis 220, die des BC307B im Bereich von 180 bis 460, die des BC307C im Bereich von 380 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC307 ist der BC237.Der BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23) und BC860W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC307-Transistors.Sie können den Transistor BC307 durch einen BC251, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.