Bipolartransistor BC415C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC415C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 380 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC415C

Der BC415C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC415C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC415 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC415B im Bereich von 180 bis 460.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC415C ist der BC413C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC415C

Sie können den Transistor BC415C durch einen BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC416, BC416C, BC556, BC557 oder BC560 ersetzen.
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