Bipolartransistor 2SD882Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD882Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD882Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD882Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD882 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des 2SD882E im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD882GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD882O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD882P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD882R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD882Y im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD882Q-Transistor könnte nur mit "D882Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD882Q ist der 2SB772Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD882Q

Sie können den Transistor 2SD882Q durch einen 2SC2877, 2SC3422, 2SD1348, 2SD1348-R, 2SD1683, 2SD1683-R, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD793, 2SD793-Q, 2SD794, 2SD794-O, 2SD794A, 2SD794A-O, BD131, BD175, BD175-16, BD177, BD185, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-O, KSD794A, KSD794A-O, KSD882, KSD882-O, KSE180, KSE181, KSH882, KSH882-O, KTC2804, KTD882, KTD882-O, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE222, MJE223, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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