Bipolartransistor MJE181

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE181 ist der MJE171.Sie können den Transistor MJE181 durch einen BD177, BD179, BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, BDX35, BDX36, BDX37, KSE181, KSE182, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE225, MJE242 oder MJE244 ersetzen.