Bipolartransistor MJE180

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE180 ist der MJE170.Sie können den Transistor MJE180 durch einen BD131, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSE180, KSE181, KSE182, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE222, MJE225 oder MJE242 ersetzen.