Bipolartransistor 2SD1722

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1722

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1722

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1722 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1722-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD1722-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1722-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1722-R im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1722-Transistor könnte nur mit "D1722" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1722 ist der 2SB1165.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1722

Sie können den Transistor 2SD1722 durch einen 2SD1723, BDX35, BDX36 oder BDX37 ersetzen.
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