Bipolartransistor KSH882

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSH882

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor

Pinbelegung des KSH882

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSH882 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSH882-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSH882-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSH882-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSH882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSH882 ist der KSH772.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSH882

Sie können den Transistor KSH882 durch einen 2SD882, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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