Bipolartransistor MJE180G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE180G durch einen BD131, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSE180, KSE181, KSE182, MJE180, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE222, MJE225 oder MJE242 ersetzen.