Bipolartransistor KTD882
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD882
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor
Pinbelegung des KTD882
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD882
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