Bipolartransistor KTD882

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD882

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor

Pinbelegung des KTD882

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD882 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD882-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KTD882-O im Bereich von 100 bis 200, die des KTD882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD882 ist der KTB772.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD882

Sie können den Transistor KTD882 durch einen 2SD1348, 2SD1683, 2SD1722, 2SD1723, 2SD882, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSH882, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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