Bipolartransistor KTD882-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD882-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882O transistor

Pinbelegung des KTD882-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD882-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD882 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KTD882-GR im Bereich von 200 bis 400, die des KTD882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD882-O ist der KTB772-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD882-O

Sie können den Transistor KTD882-O durch einen 2SC2877, 2SC3422, 2SD1348, 2SD1348-R, 2SD1683, 2SD1683-R, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD793, 2SD793-Q, 2SD794, 2SD794-O, 2SD794A, 2SD794A-O, 2SD882, 2SD882O, 2SD882Q, BD131, BD175, BD175-16, BD177, BD185, BD187, BD189, BD785, BD787, BD787G, BDX35, BDX36, KSD794, KSD794-O, KSD794A, KSD794A-O, KSD882, KSD882-O, KSE180, KSE181, KSH882, KSH882-O, KTC2804, MJE180, MJE180G, MJE181, MJE181G, MJE220, MJE222, MJE223, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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