Bipolartransistor KSD882

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD882

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882 transistor

Pinbelegung des KSD882

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD882 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD882-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD882-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSD882-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSD882-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD882 ist der KSB772.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD882

Sie können den Transistor KSD882 durch einen 2SD882, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSH882, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.
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