Bipolartransistor 2SD882E

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD882E kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD882 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des 2SD882GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD882O im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD882P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD882Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD882R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD882Y im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD882E-Transistor könnte nur mit "D882E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD882E ist der 2SB772E.Sie können den Transistor 2SD882E durch einen 2SC2270, 2SC3420, 2SC3420-GL, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSD882-G, KSH882, KSH882-G, KTD882, KTD882-GR, MJE222, MJE225 oder MJE520 ersetzen.