Transistor bipolaire KSB795-Y
Caractéristiques électriques du transistor KSB795-Y
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -8 V
- Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 8000 à 30000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB795-K transistor
Brochage du KSB795-Y
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB795-Y
Version SMD du transistor KSB795-Y
Substituts et équivalents pour le transistor KSB795-Y
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