Caractéristiques électriques du transistor 2SD1265A-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 8 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 80 à 160
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1265A-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1265A-O peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SD1265A est compris entre 30 à 160, celui du 2SD1265A-P entre 50 à 100, celui du 2SD1265A-Q entre 30 à 60.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1265A-O peut n'être marqué que D1265A-O.
Version SMD du transistor 2SD1265A-O
Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1265A-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1265A-O