Caractéristiques électriques du transistor 2SB965-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -7 A
Dissipation de puissance maximum: 70 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 75 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB965-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB965-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB965 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB965-P entre 160 à 320, celui du 2SB965-Q entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB965-R peut n'être marqué que B965-R.
Complémentaire du transistor 2SB965-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB965-R est le 2SD1288-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB965-R