Transistor bipolaire 2SB778

Caractéristiques électriques du transistor 2SB778

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB778

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB778 peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du 2SB778-O est compris entre 80 à 160, celui du 2SB778-R entre 55 à 110.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB778 peut n'être marqué que B778.

Complémentaire du transistor 2SB778

Le transistor NPN complémentaire du 2SB778 est le 2SD998.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB778

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB778 par 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1429, 2SB863, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, KTB778, MJW1302A, MJW1302AG ou NTE2329.
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