Transistor bipolaire KTB778

Caractéristiques électriques du transistor KTB778

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB778 transistor

Brochage du KTB778

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB778 peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du KTB778-O est compris entre 80 à 160, celui du KTB778-R entre 55 à 110.

Complémentaire du transistor KTB778

Le transistor NPN complémentaire du KTB778 est le KTD998.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB778

Vous pouvez remplacer le transistor KTB778 par 2SA1106, 2SA1146, 2SA1186, 2SA1265, 2SA1265-O, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1491, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1695, 2SA1805, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1986, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SB1429, 2SB778, 2SB863, FJA4210, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB688, KTB688B, MJW1302A, MJW1302AG ou NTE2329.
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