Transistor bipolaire KTB817B-O

Caractéristiques électriques du transistor KTB817B-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817-D transistor

Brochage du KTB817B-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTB817B-O peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du KTB817B est compris entre 60 à 200, celui du KTB817B-Y entre 100 à 200.

Substituts et équivalents pour le transistor KTB817B-O

Vous pouvez remplacer le transistor KTB817B-O par 2SA1294, 2SA1301, 2SA1302, 2SA1303, 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1516, 2SA1942, 2SA1943, 2SA1962, 2SA1986, 2SA2063, 2SA2120, 2SA2121, 2SA2151, 2SA2151A, 2SA2151A-O, 2SA2151A-P, 2SA2151A-Y, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB1162, 2SB1162-Q, 2SB1163, 2SB1163-Q, 2SB1429, 2SB817, 2SB817-D, FJA4213, FJL4215, KTA1943, KTA1943A, KTA1962, KTA1962A, KTB817, KTB817-O, MAG9413, MJW1302A, MJW1302AG ou NTE2329.
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