Caractéristiques électriques du transistor 2SB1162-Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
Tension collecteur-base maximum: -160 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -12 A
Dissipation de puissance maximum: 120 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB1162-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1162-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1162 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1162-P entre 100 à 200, celui du 2SB1162-S entre 80 à 160.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1162-Q peut n'être marqué que B1162-Q.
Complémentaire du transistor 2SB1162-Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1162-Q est le 2SD1717-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1162-Q