Transistor bipolaire 2SB816

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -40 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB816 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SB816-D est compris entre 60 à 120, celui du 2SB816-E entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB816 peut n'être marqué que B816.Le transistor NPN complémentaire du 2SB816 est le 2SD1046.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB816 par 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1788, 2SB1162, 2SB1163, 2SB1361, 2SB1362, 2SB817, 2SB966, KTB817, KTB817B, MJW1302A ou MJW1302AG.