Transistor bipolaire KTB817B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P
• Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KTB817B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du KTB817B-O est compris entre 60 à 120, celui du KTB817B-Y entre 100 à 200.Le transistor NPN complémentaire du KTB817B est le KTD1047B.Vous pouvez remplacer le transistor KTB817B par 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817, MJW1302A ou MJW1302AG.