Caractéristiques électriques du transistor 2SD857-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 4 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 120 à 250
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD857-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD857-P peut avoir un gain en courant continu de 120 à 250. Le gain en courant continu du 2SD857 est compris entre 40 à 250, celui du 2SD857-Q entre 70 à 150, celui du 2SD857-R entre 40 à 90.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD857-P peut n'être marqué que D857-P.
Complémentaire du transistor 2SD857-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD857-P est le 2SB762-P.
Version SMD du transistor 2SD857-P
Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD857-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD857-P